카세트 PLC 스플리터
1. 낮은 삽입 손실 및 낮은 PDL
2. 우수한 채널 간 균일성
3. 넓은 작동 파장: 1260nm에서 1650nm까지
4. 넓은 작동 온도: -40도에서 85도까지
5. 높은 신뢰성과 안정성6. Stability Telecordia GR-1221 및 GR-1209PLC(Planar Lightwave Circuit) 스플리터는 석영 광 도파관 기술을 사용하여 제조된 광 전력 관리 장치입니다. 그것은 작은 크기, 높은 신뢰성, 넓은 작동 파장 범위 및 우수한 채널 간 균일성을 가지며 광 신호 전력 분배를 위해 PON 네트워크에서 널리 사용됩니다. Wolon은 특정 응용 분야에 맞게 조정된 전체 범위의 1×N 스플리터를 제공합니다. 모든 제품은 CE 및 ROHS 인증을 충족합니다.
설명
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PLC 스플리터는 석영판의 통합 도파관을 기반으로 한 광 전력 분배 장치입니다. 작은 크기, 넓은 범위의 작동 파장, 안정적인 신뢰성 및 우수한 균일성의 특징으로 PON, ODN, FTTX 지점에서 종단 장치와 중앙 사무실을 연결하여 신호 분배기를 달성하는 데 널리 사용됩니다.
ABS 상자 FC/SC/LC/ST 커넥터 실내 광섬유 plc 스플리터 plc 1:8 sc upc
제품 설명


PLC(광분배기) 기술과 생산공정은?
PLC는 전자 기술 분야에서 더 널리 알려져 있으며 줄여서 프로그래머블 로직 컨트롤러(Programmable Logic Controller)입니다. 광통신 기술 분야에서 PLC는 Planar Lightwave Circuit의 약자로 집적광학 기술을 기반으로 다양한 광도파로 구조를 마련하고, 기술적으로 구현할 수 있는 기능소자는 지향성 결합기 DC, Y 분기기이다. , 다중 모드 간섭 커플러 MMI, 어레이 도파관 격자 AWG, 광학 콤 필터 ITL, Mach Zendel MZ 전기 광학 변조기, 열 광학 가변 감쇠기 TO-VOA, 열 광학 스위치 TO-SW 등
광통신 산업에서 널리 사용되는 PLC 소자로는 광분할기, AWG, MZ 전기광학 변조기, TO-VOA 등이 있다. 예를 들어, 1×16-포트 광 분배기에는 15개의 Y 분기기가 필요합니다. AWG는 1×N 포트 장치로 수십 개의 입력 파장을 서로 다른 출력 포트로 분리할 수 있습니다. 리튬 니오브산염 광 도파관을 기반으로 하는 MZ 변조기는 가장 주류 변조기 솔루션인 반면, 실리콘 광 변조기 기술은 성숙되어 50G 이상의 고속 변조기에 선호되는 솔루션이 되었습니다. PLC 기반의 TO-VOA와 AWG의 조합은 채널 이퀄라이제이션 기능을 가진 파장 분할 다중화기/역 다중화기 VMUX 모듈을 구성합니다.
널리 사용되는 PLC 기술을 기반으로 한 다양한 광 통신 장치가 있지만 업계에서 PLC는 일반적으로 광 분배기를 의미하며 FTTH 네트워크에서 가장 많이 사용되는 광 수동 장치입니다. 2000년 인터넷 버블 이후 광통신 산업은 불황에 접어들었습니다. 2004년경 일본은 애플리케이션 시나리오가 등장하기 전에 인프라로서 FTTH에 대한 투자를 주도했습니다. 2008년 이후 중국의 진입으로 FTTH 건설은 2012년경 정점에 도달했습니다. FTTH는 일반적으로 수동 광 네트워크 PON을 사용하며 그 핵심은 다양한 상업용 건물과 주택에 널리 설치된 PLC 광 분배기입니다. 인생 경험에서 우리에게 가장 가까운 것은 초기 트위스트 페어 케이블에서 현재 광섬유 패치 코드로 업그레이드된 홈 모뎀의 "고양이" 꼬리가 포트의 PLC 광 스플리터에서 광섬유로 연결된다는 것입니다. 가정은 일반적으로 케이블이 지원할 수 있는 것보다 훨씬 빠른 100-200M 네트워크 속도를 지원할 수 있습니다. 이것은 케이블이 지원할 수 있는 4M 전송 속도보다 훨씬 높습니다.
광 분배기(PLC) 생산 공정
광통신 분야에서 PLC는 평면 광 회로의 약자로 기능적 장치를 달성하기 위해 다양한 광 도파관 구조를 준비하는 광 기술의 통합을 기반으로 합니다. 광학 도파관 준비에는 이온 교환, 이온 주입, 화학 기상 증착 및 화염 가수 분해의 네 가지 주요 공정이 있습니다.
1) 이온 교환
이온 교환 공정의 원리는 이온이 고농도 영역에서 저농도 영역으로 확산되는 성질을 이용하여 B 플러스 이온을 포함하는 용액에 A 플러스 이온을 포함하는 유리 재료를 담그는 것입니다. 용액에서 유리의 A+ 이온을 교환합니다. A 플러스 이온을 포함하는 유리 재료는 B 플러스 이온을 포함하는 유리 재료보다 높은 굴절률을 가지므로, 광도파로의 코어층으로서 이온 교환이 일어나는 영역에서 높은 굴절률을 얻어 원하는 광도파로 구조를 얻는다. , 및 이온 교환이 일어나지 않는 영역은 광도파로의 클래딩층이다.
이온 교환에 의해 광학 도파관을 준비하기 위한 일반적인 공정 흐름은 그림 1에 나와 있습니다.
1) 증착 또는 스퍼터링 공정으로 유리 기판 위에 마스크층을 덮는다.
2) 포토리소그래피와 식각 공정을 통해 마스크층에 도파관 구조의 창이 열린다.
3) 준비된 마스크층과 열린창이 있는 유리소재를 이온교환용 용액에 담근다.
4) 표면층에 분포된 교환 이온은 전기장에 의해 일정한 깊이까지 구동되어 도파관 구조를 형성한다.
실제 공정에서 이온 교환 효과를 더 잘 보장하려면 위의 두 단계3-4를 동시에 수행해야 하며 이는 특정 공정 설계에 따라 다릅니다.
PLC(광분배기) 기술 및 제작 공정
그림 1. 이온 교환에 의한 광 도파관 준비 공정 흐름
이온 교환 효율을 향상시키고 우수한 광학 도파관 특성을 얻기 위해서는 상호 교환되는 두 개의 이온을 적절하게 선택하고, 유리 조성을 최적화하고, 용액의 농도와 온도를 제어하고, 전기장을 적절하게 적용하는 것이 필요합니다.
2) 이온 주입
이온 주입은 반도체 산업의 표준 처리 공정에 속하는 재료 표면 개질 기술입니다. 광도파로에 이온을 주입하는 것은 이온을 이온 가스 페달을 통해 수만~수십만 전자볼트의 고에너지로 가속시켜 기판 소재의 표면에 충격을 가해 원자나 분자, 굴절률을 변경하고 광학 도파관 구조를 형성합니다.
광학 도파관을 준비하기 위한 일반적인 이온 주입 프로세스는 그림 2에 나와 있습니다. 이온 주입 기계는 일반적으로 이온 소스, 이온 추출 및 사전 가속, 자기 분석기, 백 채널 가스 페달, 전자 스캐닝 시스템, 이온 주입 공동 및 진공으로 구성됩니다. 체계. 이온 소스의 캐비티에서 가스 방전에 의해 생성된 이온; 이온 추출기의 전극에 의해 내보내지고 사전 가속됩니다. 자기 분석기는 잘 지향된 이온 빔을 얻기 위해 이온 빔의 품질을 제어합니다. 후면 채널에 의해 가속된 이온 빔은 전자 편향기의 제어 하에 공동의 시료에 주입됩니다.
PLC(광 분배기) 기술 및 전체 제조 프로세스 목록
그림 2. 이온주입에 의한 광도파로 제작과정
광 도파관 패턴에 따라 마스크 층을 준비하기 위해 이온 주입 캐비티에 배치된 기판 재료를 전처리해야 합니다. 이온 주입 후에는 재료 결함이 주입에 의해 발생하는 손실에 미치는 영향을 줄이기 위해 어닐링 공정과 같은 후처리가 필요합니다.
3) 화학 기상 증착
화학 기상 증착 CVD 프로세스는 반도체 산업의 표준 프로세스이기도 합니다. 광도파로를 준비하기 위한 CVD 공정의 흐름은 도 3에 도시되어 있는데, 이는 굴절률을 향상시키기 위해 인과 붕소를 도핑하여 코어층과 같은 실리콘 기판(또는 석영 기판)에 다른 도핑층을 가진 광도파로층을 연속적으로 증착하는 것이다. 굴절률을 줄이기 위해 게르마늄을 도핑하여 클래딩 층. 코어층을 증착한 후 클래딩층을 증착하기 전에 포토리소그래피 공정으로 마스크층을 준비하여 광도파로 패턴을 정의해야 한다. 각 층이 증착된 후 증착된 층의 밀도와 균일성을 향상시키고 응력을 줄이기 위해 어닐링 및 경화 공정이 필요합니다.
PLC(광분배기) 기술 및 제작 공정
그림 3. 화학 기상 증착에 의한 광학 도파관 준비 공정 흐름
(4) 화염가수분해법
FHD의 공정 흐름은 CVD와 비슷하지만 박막층을 생성하는 공정 조건에 차이가 있다. 인, 붕소, 할로겐화 게르마늄 등의 각종 도핑 원소가 가스버너로 들어가 고온의 화염 속에서 물과 화학적으로 반응하여 각종 불순물 원소가 도핑된 이산화규소 박막층을 생성한다.
5) 공정 비교
이온 교환 및 이온 주입 공정은 저비용 광 도파관을 준비할 수 있지만 도파관 단면 형상의 제어는 약간 더 나쁘며 주로 이온 주입 공정이 이온 교환보다 훨씬 효율적인 광 스플리터를 만드는 데 사용됩니다. 후막 제조에는 FHD가 CVD보다 유리합니다.
특징
1) 낮은 삽입 손실
2) 낮은 PDL
3) 컴팩트한 디자인
4) 우수한 채널 간 균일성
5) 넓은 작동 파장: 1260nm에서 1650nm까지
6) 넓은 작동 온도: -40도에서 85도까지
7) 높은 신뢰성과 안정성
애플리케이션
1) FTTX 시스템
2) 폰네트웍스
3) CATV 링크
4) 광신호 분포
규정 준수
1) 텔코디아 GR-1209-CORE-2001
2) 텔코디아 GR-1221-CORE-1999
3) RoHS 준수
|
매개변수 |
1×2 |
1x4 |
1x8 |
1x16 |
1x32 |
1x64 |
1x128 |
|
작동 파장(nm) |
1260-1650 |
||||||
|
삽입 손실(dB)(P/S 등급) |
3.8/4.0 |
7.1/7.3 |
10.2/10.5 |
13.5/13.7 |
16.5/ 16.9 |
20.5/ 21.0 |
24.2/ 24.5 |
|
손실 균일도(dB) |
0.4 |
0.6 |
0.8 |
1.2 |
1.5 |
2.0 |
2.5 |
|
반사 손실(dB)(P/S 등급) |
55/50 |
||||||
|
편광 종속 손실(dB) |
0.2 |
0.2 |
0.2 |
0.25 |
0.3 |
0.35 |
0.5 |
|
지향성(dB) |
55 |
||||||
|
파장 종속 손실(dB) |
0.3 |
0.3 |
0.3 |
0.5 |
0.5 |
0.5 |
0.5 |
|
온도 안정성(-40-8도)(dB) |
0.4 |
0.4 |
0.4 |
0.5 |
0.5 |
0.5 |
0.5 |
|
작동 온도(도) |
-40-85 |
||||||
|
보관 온도(도) |
-40-85 |
||||||
|
모듈 치수(mm)(L×W×H) |
100×80×10 |
120×80×18 |
140×115×18 |
||||
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패키지 도면(mm)
1) 120X80X18mm

Ø 대량 수량에 사용할 수 있는 OEM 서비스, 가방에 로고 인쇄 가능
패키지 및 배송

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자주하는 질문
Q1. OEM 서비스를 제공하고 로고를 사용할 수 있습니까?
답: 예. 우리는 당신에게 ODM 및 OEM 서비스를 제공할 수 있으며 모든 제품에 대한 로고를 사용자 정의할 수 있습니다.
Q2. PLC 스플리터의 응용 프로그램은 무엇입니까?
A: IT는 정부 프로젝트 및 통신 프로젝트에서 널리 사용됩니다.
Q3. MOQ는 무엇입니까:
: 100pcs. 샘플 주문, MOQ 없음.
Q4: 배달 시간은 어떻습니까?
A: 소액 주문은 7일 이내, 혼란 주문은 약 25-30일입니다.
Q6: 보증은 어떻습니까?
A: 3년의 보증 기간입니다.
Q7: 판매 후 서비스 일정은 어떻습니까??
A: 우선 당신이 승인해야 하는 것은 우리의 품질 문제입니다. 우리는 당신의 다음 주문에서 당신을 위해 나쁜 것을 교환하거나 당신의 돈을 돌려줄 것입니다.
Q8: 공장의 생산 능력은 무엇입니까?
A: 우리 공장 생산 능력은 대략: 하루에 40000pc 커넥터입니다. 점에 유의하시기 바랍니다.
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